Dünyanın ilk 512 Gb 64 Katmanlı 3D Nand Çipi Tanıtıldı

Western Digital bugün, 64 katmanı üst üste yerleştiren ve her bir hücrede üç bit veri depolamaya olanak sağlayan dünyanın ilk 3D NAND çipinin üretimini başlattığını açıkladı.

Dünyanın ilk 512 Gb 64 Katmanlı 3D Nand Çipi Tanıtıldı

Western Digital tarafından Japonya'nın Yokkaihci şehrinde üretimine başlanan 3D Nand çipleri dikey istifleme veya 3D teknolojisi üzerine kuruludur. Toshiba ile ortaklaşa başlatılan üretimde dünyanın ilk 64 katmanlı NAND flash teknolosine dayanan ilk 512 gigabit (gb) 3D NAND çipinin pilot üretimi başlatıldı. 

Endüstrinin en yoğun 3D NAND çipleri, Western Digital ve iş ortağı Toshiba'nın BiCS (Bit Cost Scaling) olarak adlandırdığı dikey istifleme veya 3D teknolojisi üzerine kuruludur. En son bellekleri, hücre başına üç bitlik veri depolar ve bu hücreleri 64 kat yüksek yığınlar. Aynı şekilde bir gökdelen, daha dar alanlarda daha fazla yoğunluk sağlar; NAND flaş hücrelerini düzlemsel veya 2D bellek ile istifleyerek, imalatçıların yoğunluğu arttırması, bu da gigabayt kapasite başına daha düşük maliyet sağlar. Teknoloji ayrıca veri güvenilirliğini arttırır ve katı hal hafızanın hızını arttırır.

 Üç boyutlu NAND, üreticilerin transistör boyutları 10 nanometreye yaklaştığında NAND flash'ın fiziksel sınırlamalarını aşmasına ve bunları küçültme yeteneğinin daha da hızlı bir şekilde dağılmasına olanak tanıdı.  WD WD'nin BiCS3 3D NAND flaşı, 64 NAND flaş hücresinin üst üste yığıldı. En yeni 3B NAND yongaları, 3,3 TB'dan fazla depolamaya ve 10 TB'dan fazla kapasiteye sahip standart 2,5 inç SSD'lere sahip sakız bıçak boyutlu SSD'ler oluşturmak için kullanılmıştır. Samsung, 2014 yılında seri flaş çipleri üreten ilk şirket olurken, V-NAND olarak adlandırdığı teknolojileri, başlangıçta 32 kat NAND çipler olarak yaptı. Samsung'un V-NAND, aynı zamanda üç basamaklı hücrenin (TLC) NAND veya çok düzeyli hücrenin (MLC) NAND olarak nitelendirdiği alanda her hücre için 3 bit sıkıştırdı. Samsung, TLC belleği kullandığından, çipleri, 128Gbit veya 16GB depolayan Toshiba'nın orijinal 48 katmanlı 3D NAND çipleri kadar depolayabildi. 
 Intel ve Micron da 3D NAND üretiyor. Western Digital, ilk olarak Temmuz 2016'da dünyanın ilk 64 katmanlı 3D NAND teknolojisinin ilk kapasitelerini tanıtmıştı. 2D NAND, litografi boyutu ve hata oranları nedeniyle ölçeklendirme sınırlarına yaklaşırken bile, 3B NAND üretmek için katman yığılması bu endişeleri ortadan kaldırmaktadır.  Gösterilen resim, 3D NAND elde etmenin bir yöntemini göstermektedir. Bir merkezi bellek deliğinin etrafında yatay olarak yığılmış word çizgileri istiflenmiş NAND bitlerini sağlar. Bu konfigürasyon litografi üzerindeki gereklilikleri rahatlatır. Dairesel delik komşu bit rahatsızlığını en aza indirir ve toplam yoğunluk önemli derecede artar. WD'nin yeni 64 katmanlı 3D NAND yongalarının pilot üretimi, Japonya'nın imalat tesisi olan Yokkaichi'de başladı ve şirket, 2017 yılının ikinci yarısında seri üretime başlamayı planlıyor. WD'nin bellek teknolojisinden sorumlu başkan yardımcısı Dr. Siva Sivaram, yaptığı açıklamada “Endüstrinin ilk 512Gb 64-katmanlı 3D NAND çipi, 3D NAND teknolojimizin gelişimi için ileriye doğru atılmış bir diğer önemli adımdır. Bu teknoloji sayesinde, 2016 yılının Temmuz ayında sunduğumuz dünyanın ilk 64-katmanlı mimarisine kıyasla yoğunluğu iki katına çıkarıyoruz. Bu, hızla genişleyen 3D NAND teknoloji portföyümüz için önemli bir katkı. Bu sayede perakende, mobil, veri merkezi uygulamaları gibi birçok alanda hızla büyümeye devam eden verinin gerektirdiği depolama ihtiyaçlarına yanıt vermeye devam edecek bir konuma sahip oluyoruz.” dedi.   
Yorum Ekle
İsim
Yorumunuz onaylanmak üzere yöneticiye iletilmiştir.×
Dikkat! Suç teşkil edecek, yasadışı, tehditkar, rahatsız edici, hakaret ve küfür içeren, aşağılayıcı, küçük düşürücü, kaba, müstehcen, ahlaka aykırı, kişilik haklarına zarar verici ya da benzeri niteliklerde içeriklerden doğan her türlü mali, hukuki, cezai, idari sorumluluk içeriği gönderen Üye/Üyeler’e aittir.